第一七四六章 最后定调 (第1/3页)
“157nm干式光刻机受到波长的限制，制程工艺只能达到75nm，不如bSEc浸润式光刻机的65nm，而且在提高制程工艺方面的难度较大，难以满足晶圆厂家对先进制程工艺的要求；157纳米技术还有一个先天的困难，由于光波易被吸收，需要氟化钙镜头，氟化钙是一种新型镜头材料，制作难度大，每次结晶需要3个月时间，并且质量难以控制，价格高昂。我建议公司立即开始研发浸润式光刻机，虽然同bSEc和GcA相比已经晚了，但极有可能赶上被纯净水介质核心技术专利困扰的ASmL。”
7月18日，全球第一条65nm半导体生产线在pGcA量产的消息传到尼康半导体公司，上下震动很大，虽然尼康157nm干式光刻机随时可以量产，但由于制程工艺低于bSEc浸没式光刻机，到如今没有晶圆厂家愿意订购，ASmL浸没式光刻机虽然受到专利困扰没有量产，但GcA浸没式光刻机已经量产，三家主流光刻机公司走134nm浸没式光刻机路线，Nikon和canon等两家继续走157nm干式光刻机路线，但市场已经给出了答案，pGcA、ttFAb（曙光东芝）、台联电、Intel和Amd订购了5条bSEc浸没式光刻机构成的导体生产线，台积电预定了一条ASmL浸没式光刻机构成的导体生产线，同为日本半导体协会会员的晶圆公司瑞萨科技和尔必达如今还处于观望之中。
以前支持Nikon研发157nm干式光刻机的芯片龙头Intel见到bSEc浸润式光刻机问世后，放弃了对157nm干式光刻机的支持，对花费10多亿美元巨资研发157nm干式光刻机的Nikon和canon造成重大打击。
尼康半导体公司高层争议很大，其中以尼康美国研究公司的总裁兼cEo托马斯·诺利克的反对意见最大。
尼康半导体公司如今处于技术发展的十字路口。
力推157nm干式光刻机的前会长，如今的顾问吉田一郎召集现任会长兼cEo森佳照明、常务副总裁原田弘树、副总裁兼尼康半导体研究所
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