返回

第1591章 新材料合成法

首页
关灯
护眼
字:
上一页 回目录 下一章 进书架
    第1591章 新材料合成法 (第3/3页)

上露出笑容,“而且这种范德华力绳结的设计自由度非常高,理论上我们可以开发出无数种组合,应用在各式各样的二维材料上。”

    就在这时,实验室的门被推开。

    一名助理研究员将刚打印出来的测试报告递了上来。

    常浩南接过报告,栗亚波也凑到跟前。

    甚至都不用翻页。

    第一页上,就是报告的摘要:

    ·目标材料镓锗合金(Ga-Ge(0001))成功在Cd(0001)衬底上形成。

    ·薄膜呈现非平面二维形态。薄膜区域具有明显的1x1赝晶结构特征。

    ·能谱分析显示强烈的金属性特征。同时检测到薄膜内部存在一定应力,建议后续通过退火工艺优化消除。

    × MTA-01设备在衬底表面检测到了含量约15%-25%的三维纳米团簇,所幸这些团簇分布不均,主要集中于特定区域,理论上可通过后期精细切割进行有效分离。

    “总体结果还算积极。”常浩南看着报告,难掩赞许,“首次尝试就能达到这个效果,已经非常惊喜了。”

    同时他也感觉到了几分欣慰——

    终于,自己的学生可以在学术界,而不是在教育界对自己造成威胁了。

    栗亚波却盯着报告中关于纳米团簇的数据,眉头微锁:“老师,我在模拟计算时,特意提高了反应腔的环境温度参数,就是想抑制这种三维岛状生长,理论上不应该有这么大的比例才对……”

    常浩南闻言,立刻坐回主控电脑前,调出栗亚波设定的工艺参数和底层算法模型。、

    他刚才正好看到了有关内能的部分:

    “亚波,你还是稍微被半导体那边的工艺给影响到了。”

    栗亚波露出不解的表情。

    “你参考的氮化硼工艺,衬底是热解石墨,所以高温环境才有助于提高表面吸附原子的迁移率,同时抑制成核行为,促进二维扩展。”

    常浩南指着参数,解释道:

    “但我们现在的衬底是Cd(0001),反而是需要低温条件才能形成高质量的光滑薄膜”

    “!!!”

    栗亚波恍然大悟,脸上露出懊恼又庆幸的神色:“我明白了……当时光想着抑制吸附原子的团聚,忘了衬底本身的性质……”

    说着坐到电脑前面,开始着手修改计算参数。

    “瑕不掩瑜。”常浩南给出了鼓励的评价,“这次实验已经取得了突破性进展,证明范德华外延在金属二维材料制备上的巨大潜力……下一步就是研究如何将Ga-Ge(0001)进行多层堆迭,实现宏观尺度的负折射透明材料。”

    他站起身:

    “这项工作,我会亲自负责。”

    当常浩南离开合成实验室时,才发现窗外已是夜幕低垂。

    他本打算直接回家,但转念一想,又觉得不如趁热打铁,给下一阶段工作起个头。

    于是,一股强烈的动力驱使他改变方向,朝着电梯间走去。

    但就在电梯门打开的那一刻,上午那份耐高温涂层报告突然闪现在了常浩南的脑海当中!
上一页 回目录 下一章 存书签